Đẩy nhanh quá trình phát triển GaN đường kính lớn trên tấm wafer GaN cho điện tử công suất
~Được chọn tham gia keo bong88 NEDO để nhanh chóng thiết lập công nghệ sản xuất hàng loạt 6 inch~

20 tháng 11 năm 2024

Sumitomo Chemical đang tham gia “keo bong88 thúc đẩy nghiên cứu, phát triển và triển khai xã hội các công nghệ tiết kiệm năng lượng nhằm hiện thực hóa một xã hội khử cacbon” năm 2024 của Tổ chức Phát triển Công nghệ Công nghiệp và Năng lượng Mới (sau đây gọi là “NEDO”), một cơ quan nghiên cứu và phát triển quốc gia^※1(sau đây gọi là “keo bong88 này”), “GaN đường kính lớn trên GaN dành cho điện tử công suất^※2Chúng tôi đã được chọn cho một dự án liên quan đến phát triển tấm bán dẫn Bằng cách sử dụng keo bong88 này và đẩy nhanh quá trình phát triển công nghệ sản xuất hàng loạt tấm GaN 6 inch trên GaN dành cho các thiết bị điện, chúng tôi sẽ góp phần hiện thực hóa một xã hội tiết kiệm năng lượng

keo bong88 này do NEDO triển khai nhằm thúc đẩy sự phát triển của các công nghệ đổi mới giúp tiết kiệm năng lượng đáng kể với mục tiêu hiện thực hóa một xã hội không có carbon vào năm 2050 Tấm wafer GaN trên GaN được cho là vượt trội hơn các vật liệu bán dẫn khác về khả năng tiết kiệm năng lượng, điện trở cao và hoạt động dòng điện cao và dự kiến sẽ được sử dụng trong các lĩnh vực bán dẫn điện tử công suất như cơ sở hạ tầng điện, máy chủ trung tâm dữ liệu và ứng dụng xe điện

Để triển khai các tấm bán dẫn GaN trên GaN cho các ứng dụng điện tử công suất, điều cần thiết là phải tăng đường kính lên kích thước phù hợp với quy trình của nhà sản xuất thiết bị và mục tiêu của chúng tôi là sản xuất hàng loạt tấm bán dẫn 6 inch chất lượng cao, chi phí thấp keo bong88 này nhằm mục đích thiết lập công nghệ sản xuất hàng loạt bằng cách cải tiến công nghệ chất nền GaN và lớp tăng trưởng, tập trung vào các điểm sau

Sumitomo Chemical coi mảng kinh doanh giải pháp di động và CNTT là một trong những động lực tăng trưởng của mình Công ty chúng tôi sẽ tiếp tục tập trung phát triển các sản phẩm và công nghệ góp phần phát triển xã hội thông tin và truyền thông, bao gồm cả GaN trên GaN

※1 Hệ thống này bắt đầu hoạt động vào năm 2021 và có tổng cộng 22 đề xuất được thông qua vào năm 2024 Chủ đề của chúng tôi dự kiến sẽ nhận được hỗ trợ trong ba năm như một "giai đoạn phát triển trình diễn"
※2 Tấm bán dẫn có cấu trúc trong đó lớp GaN được nuôi cấy epitaxy trên nền GaN (gallium nitride) Không giống như phương pháp phát triển một loại lớp GaN khác trên đế Si hoặc sapphire thông thường, phương pháp này được kỳ vọng sẽ cải thiện đáng kể các tính chất điện, tính chất nhiệt và chất lượng vì lớp nền và lớp tăng trưởng được làm từ cùng chất liệu với GaN
※3 Một loại phương pháp được sử dụng để tạo tinh thể GaN Phương pháp tăng trưởng pha hơi hydrua Nó có lợi thế về chi phí so với phương pháp MOVPE thông thường (epitax pha hơi kim loại-hữu cơ) và do có thể dễ dàng tăng nguồn cung cấp khí nguyên liệu thô nên tốc độ tăng trưởng epiticular nhanh hơn 10 lần (theo nghiên cứu của chúng tôi), khiến nó có năng suất vượt trội

Để bạn tham khảo

trở lên

Liên hệ với chúng tôi

bong88
Phòng Truyền thông doanh nghiệp
https://wwwsumitomo-chemcojp/contact/public/